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DMG1024UV-7 雙N溝道MOSFET陣列,20V/1.38A,SOT-563封裝
技術參數(shù)與設計特點1. 核心電氣性能· 電壓與電流:漏源電壓(Vdss)20V,連續(xù)漏極電流(Id)1.38A@25°C,支持邏輯電平門控(4.5V驅動)。· 導通特性:導通電阻( ...
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產品簡介 / Introduction

技術參數(shù)與設計特點

1. 核心電氣性能

· 電壓與電流:漏源電壓(Vdss)20V,連續(xù)漏極電流(Id)1.38A@25°C,支持邏輯電平門控(4.5V驅動)。

· 導通特性:導通電阻Rds(on))僅450mΩ(@600mA, 4.5V),降低導通損耗。

· 動態(tài)響應:輸入電容Ciss)60.67pF@16V,柵極電荷(Qg)0.74nC@4.5V,優(yōu)化高頻開關效率。

· 功率與溫控:最大功率耗散530mW,工作溫度覆蓋工業(yè)級范圍(-55°C至150°C)。

2. 封裝與結構

· 微型化設計:尺寸僅1.7mm × 1.25mm × 0.6mm,6引腳SOT-563表面貼裝封裝,節(jié)省PCB空間。

· 隔離式雙通道:兩路獨立N溝道MOSFET,支持同步控制或分路驅動。

· 可靠性認證:符合RoHS、無鉛標準,濕度敏感度等級MSL1(無限存儲壽命)。

3. 性能優(yōu)勢

· 低閾值驅動:柵閾值電壓(Vgs(th))最大1V@250μA,兼容微控制器直接驅動。

· 快速開關:典型開啟延遲5.1ns,關斷延遲26.7ns,適用于DC-DC轉換等高時效場景。

· 能效優(yōu)化:低柵電荷與輸入電容組合,減少開關過程中的能量損失。

應用場景

一、電源管理模塊

用于便攜設備(如移動電源、無人機)的負載開關電路,通過低導通電阻減少壓降。

多通道設計適配多路輸出電源的分時控制,例如FPGA或MCU的多電壓域供電。

二、信號切換與驅動

電機驅動板中的H橋預驅級,利用雙通道獨立控制正反轉邏輯。

通信模塊高頻開關(如射頻開關),依賴快速響應時間(上升/下降時間7.4ns/12.3ns)。

三、工業(yè)與車載電子

符合-55°C~150°C寬溫要求,適用于車載逆變器、工業(yè)PLC輸出模塊。

選型與兼容性

· 替代型號參考:同系列兼容DMG1023UV-7(雙P溝道)及DMG1026UV-7(60V高壓版)。

· 設計兼容性:引腳兼容SOT-666封裝,便于舊版電路升級。




注:以上內容基于Diodes官方數(shù)據(jù)手冊及分銷商技術文檔,參數(shù)細節(jié)以實際應用驗證為準。

 

 

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