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英飛凌Infineon IRFB4321PBF N溝道MOSFET功率管 TO-220AB封裝 150V/85A
IRFB4321PBF功率MOSFET深度解析產(chǎn)品概述IRFB4321PBF是英飛凌(Infineon)HEXFET?系列中的高性能N溝道功率MOSFET,專為工業(yè)級(jí)高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。其核心優(yōu)勢(shì)在于低導(dǎo) ...
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介 / Introduction

IRFB4321PBF功率MOSFET深度解析

產(chǎn)品概述

IRFB4321PBF是英飛凌(Infineon)HEXFET?系列中的高性能N溝道功率MOSFET,專為工業(yè)級(jí)高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。其核心優(yōu)勢(shì)在于低導(dǎo)通電阻(僅15mΩ)高電流承載能力(連續(xù)漏極電流85A),結(jié)合150V的漏源擊穿電壓(Vdss),可有效降低能耗并提升系統(tǒng)功率密度。器件采用標(biāo)準(zhǔn)TO-220AB封裝,兼容通孔安裝(Through-Hole),機(jī)械強(qiáng)度高且散熱性能優(yōu)異,支持-55°C至175°C的寬工作溫度范圍,適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境需求。

核心技術(shù)參數(shù)

1. 電氣特性

§ 低開關(guān)損耗:柵極電荷(Qg)典型值71nC@10V,結(jié)合18ns開通延遲和25ns關(guān)斷延遲,顯著提升高頻開關(guān)效率。

§ 驅(qū)動(dòng)兼容性:柵極閾值電壓(Vgs(th))范圍3~5V,支持10V驅(qū)動(dòng)電壓實(shí)現(xiàn)最優(yōu)導(dǎo)通電阻,兼容主流控制器。

§ 電容優(yōu)化:輸入電容(Ciss)4460pF@50V,平衡開關(guān)速度與噪聲抑制能力。

2. 熱管理
器件最大功耗達(dá)350W(Tc條件下),TO-220AB封裝的熱阻設(shè)計(jì)有效提升散熱效率,支持長(zhǎng)期高負(fù)載運(yùn)行。

典型應(yīng)用場(chǎng)景

· 電機(jī)控制系統(tǒng):用于工業(yè)直流電機(jī)、電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)器的逆變模塊,支持高頻開關(guān)和瞬時(shí)大電流(如50A峰值),確保扭矩響應(yīng)精度。

· 電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng):在AC/DC同步整流、DC-DC轉(zhuǎn)換器中,低導(dǎo)通電阻減少導(dǎo)通損耗,提升能效至90%以上。

· 新能源設(shè)備:適配太陽能逆變器、UPS不間斷電源,150V耐壓和雪崩耐量特性增強(qiáng)系統(tǒng)穩(wěn)定性。

· 汽車電子:集成于電池管理系統(tǒng)(BMS)和車載充電器,滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)下的高可靠性要求。

設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)

· 魯棒性強(qiáng)化
采用StrongIRFET?硅技術(shù),優(yōu)化體二極管恢復(fù)特性,降低開關(guān)過程中的電壓尖峰和電磁干擾(EMI)。支持30V柵源電壓容限,抗靜電與浪涌能力突出。

· 能效與壽命平衡
超低RDS(on)減少導(dǎo)通態(tài)發(fā)熱,結(jié)合TO-220AB的銅引線框架,延長(zhǎng)高溫工況下的器件壽命。

行業(yè)適配價(jià)值

IRFB4321PBF憑借工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳布局,可直接替換同類老舊器件,降低設(shè)計(jì)遷移成本。其廣泛適配性覆蓋通信基站電源、焊接設(shè)備、光伏控制器等場(chǎng)景,為高功率密度系統(tǒng)提供兼顧性能與成本的解決方案。

 

 

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